ゲルマニウム薄膜のレーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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プラズマCVD法で形成されたアモルファスゲルマニウム薄膜のパルスレーザによる結晶化を試みた.結晶化率は膜厚6nmの薄膜のとき0.8と大きかった.電子スピン共鳴スペクトルの解析から算出したレーザ結晶化ゲルマニウム薄膜のスピン密度は3×10^<16>cm^<-3>と小さかった.光電気伝導率及び暗電気伝導率は非常に高く,それぞれ1.9×10^<-1>S/cm, 13S/cmであった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
鮫島 俊之
東京農工大工
-
安藤 伸行
東京農工大学
-
安藤 伸行
東京農工大・工学教育部21世紀coeプログラム
-
鮫島 俊之
東京農工大学 工学部
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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