Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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モノシランガスの減圧CVD法を用いたSi量子ドットの自己組織化形成とリモートAr/H_2による表面処理、リモートO_2プラズマによるSiドット表面酸化を同ーチャンバ内で繰り返して、Si量子ドット立体集積構造を表面熱酸化したSi(100)基板上に形成した。上記ドライー環プロセスで形成したSiドット立体集積構造を活性層として、Auゲートダイオード構造を作製し、半透明Auゲートから電子注入、p-Si(100)基板から正孔注入することにより、可視-近赤外域で室温発光することを明らかにした。さらに、SiドットへのPドーピングにより、発光強度の増大を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-23
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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