分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
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概要
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高誘電率ゲート絶縁膜として着目されているAl_2O_3膜に窒素を添加した、AlO_x:N膜を、炭素残留が少ないアラン系ガスを用いたCVD法で成膜し、容量-電圧特性、電流電圧特性および信頼性について評価を行った。フラットバンド電圧のシフトからAl_2O_3膜と同様に固定電荷が存在していることがわかった。電流電圧特性から、AlO_x:N膜では、SiO_2と比べて2桁以上リーク電流が低減できた。また、信頼性評価においては、SiO_2と同様な初期劣化(SILC状態)および局所劣化(Soft Break Down状態)が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-14
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高 文秀
岩谷産業
-
横井 宏和
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
-
山下 寛樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
水林 亘
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
水林 亘
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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