ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価

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概要

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• ZrO_2/Si(100)系のエネルギーバンドプロファイルを決定する為に、X線光電子分光(XPS)によるOls光電子エネルギー損失スペクトルの測定からZrO_2膜のE_gを決定すると共にZrO_2/Si(100)へテロ接合価電子帯スペクトルの解析から価電子帯側バリア高さを求め、Si伝導帯側のZrO_2/Si(100)バリアハイトを決めた。また、光電子収率分光法(PYS)により、ZrO_2/n+Si(100)界面及びバルクZrO_2膜中の欠陥準位密度分布を測定した。また、低温(300〜500℃)酸素アニールが欠陥準位密度分布に及ぼす影響についても調べた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-06-01

著者

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 広瀬 全孝

  産業技術総合研究所

• 廣瀬 全孝

  広島大学工学部

• 山岡 真左則

  広島大学大学院先端物質化学研究科

• 奈良崎 昌宏

  広島大学大学院 先端物物質科学研究科

• 小笠原 優

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 廣瀬 全孝

  次世代半導体研究センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

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