Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
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概要
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Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタおよびMOSFETにおいて、200Kから350Kの温度領域でドットフローティングゲートヘの電子の多段階的な注入を観測した。ドットフローティングゲートから電子を完全に放出させた後、ゲート電圧一定で、ドレイン電流の時間変化を観測した結果、電流値が一定の状態(準安定状態)を経て階段状に減少することがわかった。これは準安定状態において、全電荷量を保持した状態で注入された電子がドット間を移動して再配置すると解釈でき、近接ドット間のクーロン相互作用に起因した現象と考えられる。注入時間及び準安定時間のアレニウスプロットから、いずれも約0.3Vの活性化エネルギが存在することがわかった。この値は、電子注入には異なるエネルギ準位間の電子移動が関与することを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-25
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
清水 雄介
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
柴口 拓
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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