シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
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概要
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p型及びn型Si(100)基板に作製したSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの容量-電圧及び電流-電圧特性は,ドットヘの電子注入・放出に伴い基板のフェルミレベルを反映した対称的なヒステリシス特性を示す.更に,ゲート電極周辺部に光照射することで高周波容量-電圧特性においてもドットヘの電子注入が観測可能となることを示した.また,Si量子ドットフローティングゲートnMOSFETにおいて特徴的な多段階電子注入特性を観測した.一定ゲート電圧下でのドットヘ電子注入は,準安定状態を経て段階的に進行することが分かった.準安定状態においては,ドットフローティングゲート内で電子間のクーロン反発を緩和するように電子分布の再配置が起こっていると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大院先端研
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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