導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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概要
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高水素稀釈GeH_4ガスのRFグロー放電プラズマから、Si及びCr蒸着基板上に、結晶性ゲルマニウム薄膜を堆積し、結晶性、表面形状及び局所電気伝導の相関を膜厚の関数として調べた。ラマン散乱分光測定の結果、膜厚の増加に伴う結晶性の向上は、膜厚65nm以上で飽和傾向にあることが分かった。導電性AFM探針を用いたAFMによる表面形状像と二次元電流像の同時観察では、膜厚16〜65nmの領域において微結晶核形成の様子を微結晶及び粒界における伝導度の違いから高感度検出できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-23
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
池田 弥央
広大院先端研
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡本 祥裕
広島大学大学院先端物質科学研科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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