中川 博 | 広島大学大学院先端物質科学研究科

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概要

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関連著者

• 中川 博

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 村上 秀樹

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大田 晃生

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 竹野 文人

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 安部 浩透

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 岡本 祥裕

  広島大学大学院先端物質科学研科

• 古川 寛章

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 多比良 昌弘

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 長町 学

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 牧原 克典

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 池田 弥央

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 川原 孝昭

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 川原 孝昭

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大田 晃生

  広島大・先端物質科学研究科

• 中川 博

  広島大・先端物質科学研究科

• 村上 秀樹

  広島大・先端物質科学研究科

• 東 清一郎

  広島大・先端物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広島大・先端物質科学研究科

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.

• 山岡 真左則

  広島大学大学院先端物質化学研究科

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 三宅 秀治

  エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group

• 堀川 貢弘

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 小山 邦明

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

• 米田 賢司

  エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.

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著作論文

• HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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