牧原 克典 | 広大院先端研
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概要
関連著者
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牧原 克典
広大院先端研
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池田 弥央
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
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宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
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牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
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櫻井 蓉子
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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白石 賢二
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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宮崎 誠一
広大院先端物質科学
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白石 賢二
筑波大学
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櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
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村口 正和
東北大学際センター
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高田 幸宏
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学際センター
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村口 正和
早大理工
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川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
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岡本 祥裕
広島大学大学院先端物質科学研科
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林 司
日新電機株式会社
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広重 康夫
広島大学大学院先端物質科学研究科
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岡田 竜弥
琉球大学 工学部
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竹内 大智
名古屋大学大学院工学研究科
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可貴 裕和
日新電機株式会社
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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岡田 竜弥
琉球大学工学部
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西谷 純一郎
広島大学大学院先端物質科学研科
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ダルマ ユディ
広島大学大学院先端物質科学研科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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重田 育照
兵庫県立大院生命
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斉藤 慎一
日立中研
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重田 育照
兵庫県大院生命
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重田 育照
大阪大学大学院基礎工学研究科
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重田 育照
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
-
重田 育照
阪大基礎工
著作論文
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子デバイス)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子部品・材料)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (シリコン材料・デバイス)
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 (シリコン材料・デバイス)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 (電子デバイス)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 (電子部品・材料)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)