村上 秀樹 | Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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概要
関連著者
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大
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牧原 克典
広大院先端研
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池田 弥央
広大院先端研
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
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牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
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宮崎 誠一
名古屋大学 大学院工学研究科
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後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
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尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
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岡田 竜弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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藤岡 知宏
広島大学大学院先端物質科学研究科
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岡田 竜弥
琉球大学工学部
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加久 博隆
広島大学大学院先端物質科学研究科
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岡田 竜弥
琉球大学 工学部
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松井 真史
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三嶋 健斗
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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中西 敏雄
東京エレクトロンat Spa開発技術部
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三浦 真嗣
広島大学大学院先端物質科学研究科
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鴻野 真之
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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西田 辰夫
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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小埜 芳和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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貫目 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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古川 弘和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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加久 博降
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広大
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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保坂 公彦
富士通研究所
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安部 浩透
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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加久 博隆
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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寄本 拓也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
富士通研究所
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古川 寛章
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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多比良 昌弘
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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米田 賢司
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三宅 秀治
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
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三宅 秀治
エルピーダメモリ(株) Technology & Development Office Research & Development Group
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堀川 貢弘
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
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小山 邦明
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
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米田 賢司
エルピーダメモリ株式会社 T&d Office Apd Gr.
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西垣 慎吾
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三嶋 健斗
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Asイオン注入したゲルマニウム層の化学分析 (シリコン材料・デバイス)
- 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 (シリコン材料・デバイス)
- TaOx層挿入によるHfO/Ge界面反応制御 (シリコン材料・デバイス)