保坂 公彦 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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保坂 公彦
富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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福留 秀暢
富士通研究所
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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籾山 陽一
富士通(株)
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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芝原 健太郎
広大
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
富士通研究所
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)