籾山 陽一 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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籾山 陽一
富士通(株)
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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福留 秀暢
富士通研究所
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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保坂 公彦
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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児島 学
富士通
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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吉田 英司
富士通研究所
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宮本 真人
富士通
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斎木 孝志
富士通
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南方 浩志
富士通研究所
著作論文
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
- Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作