川村 和郎 | 富士通マイクロエレクトロニクス
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概要
関連著者
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
-
大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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田島 貢
富士通株式会社
-
児島 学
富士通
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小倉 寿典
富士通(株)
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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片上 朗
(株)富士通研究所
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佐久間 崇
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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橋本 浩一
富士通(株)
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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畑田 明良
富士通
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
-
大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
金永 ソク
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
島宗 洋介
富士通研究所
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佐久間 崇
富士通、あきる野テクノロジセンター
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畑田 明良
富士通研究所
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片上 朗
富士通研究所
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添田 武志
富士通研究所
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川村 和郎
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
森岡 博
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
渡邉 崇史
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
王 純志
富士通、あきる野テクノロジセンター
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早見 由香
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 寿典
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
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森 年史
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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児島 学
富士通、あきる野テクノロジセンター
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橋本 浩一
富士通、あきる野テクノロジセンター
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通研究所
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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保坂 公彦
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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籾山 陽一
富士通(株)
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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福田 真大
富士通(株)
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畑田 明良
富士通(株)
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川村 和郎
富士通(株)
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大田 裕之
(株)富士通研究所
-
南 孝宜
富士通(株)
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田村 直義
(株)富士通研究所
-
森 年史
富士通(株)
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児島 学
富士通(株)
-
助川 和雄
(株)富士通研究所
-
宮嶋 基守
富士通(株)
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
-
福田 真大
富士通株式会社
著作論文
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)