佐藤 成生 | 富士通研究所先端cmos開発部

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概要

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関連著者

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 佐藤 成生

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  (株)富士通研究所

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 大田 裕之

  富士通研究所

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 籾山 陽一

  富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通株式会社

• 田島 貢

  富士通株式会社

• 大田 裕之

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 保坂 公彦

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 川村 和郎

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 田島 貢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 保坂 公彦

  富士通研究所

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 由上 二郎

  ルネサステクノロジ生産本部

• 西山 彰

  東芝研究開発センター

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部 情報工学科

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社

• 榎本 忠儀

  中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻

• 児島 学

  富士通

• 畑田 明良

  富士通(株)

• 森 年史

  富士通(株)

• 助川 和雄

  (株)富士通研究所

• 佐藤 成生

  (株)富士通研究所

• 田島 貢

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田村 直義

  富士通研究所

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 大越 克明

  富士通株式会社

• 森 年史

  富士通株式会社

• 助川 和雄

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 吉田 英司

  富士通研究所

• 佐々木 伸夫

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 田代 浩子

  株式会社富士通研究所

• 佐々木 伸夫

  富士通ic事業部

• 田村 直義

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 宮本 真人

  富士通

• 斎木 孝志

  富士通

• 佐々木 伸夫

  富士通研究所

• 中山 範明

  富士通研究所

• 田代 浩子

  富士通研究所

• 須戸 律雄

  富士通研究所

• 畑田 明良

  富士通

• 岡部 堅一

  富士通セミコンダクター株式会社

• 大越 克明

  富士通セミコンダクター株式会社

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著作論文

• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
• ソフトエラーシミュレーションシステム

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