池田 圭司 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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福留 秀暢
富士通研究所
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富士通マイクロエレクトロニクス
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富士通研究所
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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富士通マイクロエレクトロニクス
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助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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富士通
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岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
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大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)