不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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本論文は不純物閉じ込め層(DCL)と命名した新しい歪技術に関する。DCL技術はストレス・メモリー(SMT)に属する手法である。我々が提案するこの方法はSMTで必要となる犠牲カバー膜を必要としない。ゲート絶縁膜上に直接DCLを形成するので歪印加効果が大きく、しかもそのカバー膜を必要としないため、不純物プロファイルに影響することもない。そのため短チャネル効果が悪化しない。DCL中の不純物濃度を高くすることにより電子移動度を高く、実効的酸化膜換算膜厚を薄膜化することが出来る。性能としてはVd=1.0VにおいてnMOSFET、pMOSFETで1204/786μA/μmが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-17
著者
-
畑田 明良
富士通(株)
-
森 年史
富士通(株)
-
助川 和雄
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所
-
助川 和雄
富士通株式会社
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
池田 圭司
(株)富士通研究所
-
池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
大田 裕之
富士通研究所
-
福留 秀暢
富士通研究所
-
岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
-
池田 圭司
富士通研究所
-
佐藤 成生
富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通研究所
-
大越 克明
富士通株式会社
-
岡部 堅一
富士通株式会社
-
田島 貢
富士通株式会社
-
森 年史
富士通株式会社
-
助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
-
佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
畑田 明良
富士通
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
-
岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
-
大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
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