池田 圭司 | 半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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概要
関連著者
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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池田 圭司
富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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大田 裕之
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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高木 信一
東京大学
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松井 敏明
通信総合研究所
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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保坂 公彦
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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彦坂 康己
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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三村 高志
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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籾山 陽一
富士通(株)
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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山本 智彦
富士通株式会社
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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畑田 明良
富士通(株)
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通(株)
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田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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山下 良美
Mirai-aset
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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原田 真臣
半導体MIRAI-ASET
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原田 正臣
MIRAI-ASET
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池田 圭司
MIRAI-ASET
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鈴木 邦広
MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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田岡 紀之
MIRAI-産総研ASRC
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木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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大和田 保
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
加瀬 正隆
富士通
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
畑田 明良
富士通
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筑根 敦弘
(株)富士通
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岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
-
大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)