杉山 直治 | 半導体MIRAI-ASET
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
-
手塚 勉
MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
中払 周
MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
-
守山 佳彦
MIRAI-ASET
-
豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
山下 良美
Mirai-aset
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
-
平下 紀夫
MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
MIRAI-ASET
-
宮村 佳児
コマツ電子金属
-
前田 辰郎
MIRAI-AIST
-
黒部 篤
東芝 研開セ
-
山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
山下 良美
半導体MIRAI-ASET
-
原田 真臣
半導体MIRAI-ASET
-
原田 正臣
MIRAI-ASET
-
木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
-
入沢 寿史
MIRAI-ASET
-
臼田 宏治
MIRAI-ASET
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
水野 智久
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
杉山 直治
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
手塚 勉
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
黒部 篤
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
畠山 哲夫
個別半導体基盤技術ラボラトリー
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
-
木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
高木 信一
東大院工
-
池田 圭司
MIRAI-ASET
-
鈴木 邦広
MIRAI-ASET
-
田岡 紀之
MIRAI-産総研ASRC
-
高木 信一
Toshiba Ceramics
-
古賀 淳二
MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
MIRAI-ASET
-
沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
-
畠山 哲夫
(株)東芝 研究開発センター 個別半導体基盤技術ラボラトリー
-
Usuda Koji
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- ひずみSi p-MOSFETにおける正孔移動度の増大
- シリコン系ナノクリスタル形成技術 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)