ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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ひずみSiチャネルMOSFETの課題とひずみSOI CMOSの特徴について紹介する.バルク上のひずみSi MOSFETの問題点のいくつかが、ひずみSOIによって緩和することを、我々の研究成果に基づいて報告する.併せて、SOI上のひずみSi/SiGeチャネルMOSFETの将来の方向性に関する見通しを簡単に述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-09
著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
古賀 淳二
東芝
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