III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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概要
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高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造として、現在注目を集めている。更に、これらの材料をSi基板上に集積化する異種集積技術は、このような高性能のCMOSロジックに留まらず、種々の機能デバイスを同一チップに集積化するような新しいSoCを実現するためのキー技術である。本論文では、Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSの課題、および課題を解決する上で現在取り組んでいる技術の現状を紹介する。
- 2010-06-23
著者
-
竹中 充
東京大学
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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