高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
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概要
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- 2003-03-06
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
手塚 勉
MIRAI-ASET
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
沼田 敏典
MIRAI-ASET
-
前田 辰郎
MIRAI-AIST
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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