沼田 敏典 | 半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
高木 信一
東京大学
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
-
田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
MIRAI-ASET
-
宮村 佳児
コマツ電子金属
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
平下 紀夫
MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
MIRAI-ASET
-
臼田 宏治
MIRAI-ASET
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
-
中払 周
MIRAI-ASET
-
高木 信一
Toshiba Ceramics
-
古賀 淳二
MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
MIRAI-ASET
-
沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
-
前田 辰郎
MIRAI-AIST
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
東芝研究開発センター
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
-
大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
著作論文
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造