平下 紀夫 | 半導体MIRAI-ASET
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概要
関連著者
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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宮村 佳児
コマツ電子金属
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古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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中払 周
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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入沢 寿史
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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臼田 宏治
MIRAI-ASET
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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組頭 広志
Jst-crest:東大院工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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山下 良美
Mirai-aset
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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山下 良美
半導体MIRAI-ASET
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木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
東大院工
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木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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守山 佳彦
MIRAI-ASET
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高木 信一
Toshiba Ceramics
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古賀 淳二
MIRAI-ASET
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田邊 顕人
MIRAI-ASET
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水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
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岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
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臼田 宏治
半導体理工学研究センター
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小野 寛太
KEK物質構造科学研究所
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奥村 務
東京大学大学院工学系研究科
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平下 紀夫
半導体理工学研究センター
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山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
著作論文
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)