臼田 宏治 | 半導体MIRAI-ASET

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概要

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• 半導体MIRAI-ASETの論文著者

関連著者

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 手塚 勉

  半導体MIRAI-ASET

• 沼田 敏典

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 平下 紀夫

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  東大 大学院工学系研究科

• 高木 信一

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 古賀 淳二

  東芝

• 高木 信一

  東京大学

• 入沢 寿史

  半導体MIRAI-ASET

• 守山 佳彦

  半導体MIRAI-ASET

• 水野 智久

  MIRAI-AIST

• 沼田 敏典

  半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)

• 古賀 淳二

  半導体MIRAI-ASET

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 中払 周

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 英二

  東芝セラミックス株式会社

• 水野 智久

  半導体MIRAIプロジェクト

• 田邊 顕人

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 智史

  東京大学大学院工学系研究科

• 岡林 潤

  東京大学大学院工学系研究科

• 臼田 宏治

  半導体理工学研究センター

• 岡林 潤

  東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻

• 組頭 広志

  Jst-crest:東大院工

• 岡林 潤

  東大院工

• 宮村 佳児

  コマツ電子金属

• 組頭 広志

  東京大学大学院工学系研究科

• 劉 国林

  半導体理工学研究センター

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 丹羽 正昭

  半導体理工学研究センター

• 手塚 勉

  MIRAI-ASET

• 平下 紀夫

  MIRAI-ASET

• 入沢 寿史

  MIRAI-ASET

• 沼田 敏典

  MIRAI-ASET

• 臼田 宏治

  MIRAI-ASET

• 劉 紫園

  半導体理工学研究センター

• 池田 和人

  半導体理工学研究センター

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 田岡 紀之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 山下 良美

  Mirai-aset

• 組頭 広志

  東大工

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 山本 豊二

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 山下 良美

  半導体MIRAI-ASET

• 木曽 修

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 高木 信一

  東大院工

• 木曽 修

  MIRAI-産総研ASRC

• 高木 信一

  MIRAI-産総研ASRC

• 前田 辰郎

  半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター

• 中払 周

  MIRAI-ASET

• 高木 信一

  Toshiba Ceramics

• 古賀 淳二

  MIRAI-ASET

• 田邊 顕人

  MIRAI-ASET

• 沼田 典則

  半導体MIRAIプロジェクト

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 水野 智久

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 杉山 直治

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 手塚 勉

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 畠山 哲夫

  (株)東芝 研究開発センター 個別半導体基盤技術ラボラトリー

• Usuda Koji

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 黒部 篤

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 畠山 哲夫

  個別半導体基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 高橋 晴彦

  東大工

• 高橋 晴彦

  東京大学大学院工学系研究科

• 小野 寛太

  KEK物質構造科学研究所

• 黒部 篤

  東芝 研開セ

• 奥村 務

  東京大学大学院工学系研究科

• 平下 紀夫

  半導体理工学研究センター

• 山本 豊二

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

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著作論文

• SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
• 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
• シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
• ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
• 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET

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