放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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HfO_2ゲート絶縁膜について化学結合状態およびバンド構造に対するアニール効果を系統的に調べるため、放射光光電子分光およびX線吸収分光測定を行なった。Hf金属前処理を行なっていない試料と行なった試料について、内殻スペクトル形状のアニール変化を比較したところ、Hf金属前処理によってSi0_2析出およびHfシリサイド化反応を抑制できることが分かった。1000℃加熱後のHf 4f光電子スペクトルから金属表面折出物はHf 金属およびHfシリサイドが相分離状態をとっていることが分かった。Hf金属前処理を行なった試料において、800℃ および900℃のアニール後、価電子帯スペクトルは2つの状態に分裂し、O k-edge吸収スペクトル形状はシヤープになった。このことはHf0_2の結晶化に関係しているものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
組頭 広志
Jst-crest:東大院工
-
岡林 潤
東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
-
岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
-
劉 国林
半導体理工学研究センター
-
臼田 宏治
半導体理工学研究センター
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