高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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高輝度放射光を用いた高分解能角度分解光電子分光によって極薄シリコン酸窒化膜および高誘電率膜を解析し、膜中窒素原子の化学結合状態を明らかにするとともに、基板情報差分法によって正確な価電子帯オフセットを決定した。その結果、窒素濃度増加に伴う酸窒化膜バンドオフセットの変化を明らかにするとともに、2層構造を持つZr0_2膜、HfO_2膜のバンドオフセットの決定に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
組頭 広志
Jst-crest:東大院工
-
小野 寛太
総研大・高エ研
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
-
岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体理工学研究センター
-
小野 寛太
KEK物質構造科学研究所
-
奥村 務
東京大学大学院工学系研究科
-
平下 紀夫
半導体理工学研究センター
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