角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• 酸窒化膜の窒素濃度分布および化学結合状態はトランジスタの特性および構造を理解するために重要である。角度分解光電子分光法は薄膜の深さ方向元素濃度分析が可能であり、幅広く用いられている。しかしながら、光電子強度の解析法に強く依存してしまうことから、定量的な評価は一般的に難しい。そこで、定量的な窒素濃度分布の解析法として、最大エントロピー法を用いた解析プログラムを開発し、実験データに適用した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-06-14

著者

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 岡林 潤

  東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 岡林 潤

  東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 智史

  東京大学大学院工学系研究科

• 劉 紫園

  半導体理工学研究センター

• 岡林 潤

  東京大学大学院工学系研究科

• 劉 国林

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• 池田 和人

  半導体理工学研究センター

• 臼田 宏治

  半導体理工学研究センター

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