01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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We have grown GaN and AlN films on atomically flat on-axis 4H- and 6H-SiC (0001) substrates at room temperature (RT) by PLD and investigated their growth mechanisms. We have found that the epitaxial growth of AlN and GaN films proceeds in the layer-by-layer mode even at RT and the surfaces were covered with atomically flat terraces separated by straight steps.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
尾嶋 正治
東大院工
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東大生研
-
太田 実雄
東大生研
-
藤岡 洋
東大生研
-
金 明姫
東大院総合文化
-
尾嶋 正治
東大院総合文化
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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