ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで高品質な非極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-11-20

著者

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 尾嶋 正治

  Jst-crest:東大院工

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 小林 篤

  東京大学大学院工学系研究科

• 下元 一馬

  東京大学生産技術研究所

• 上野 耕平

  東京大学生産技術研究所

• 太田 実雄

  東京大学生産技術研究所

• 天内 英貴

  三菱化学科学技術研究センター

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 堀江 秀善

  三菱化学科学技術研究センター

• 尾嶋 正治

  Ntt電子応用研究所

• 藤岡 洋

  東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)

• Kobayashi Atsushi

  Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo

• 上野 耕平

  東大 生産技研

• 下元 一馬

  東大 生産技研

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