ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで高品質な非極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
尾嶋 正治
東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
下元 一馬
東京大学生産技術研究所
-
上野 耕平
東京大学生産技術研究所
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
-
長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
-
堀江 秀善
三菱化学科学技術研究センター
-
尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
上野 耕平
東大 生産技研
-
下元 一馬
東大 生産技研
関連論文
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」(学会活動報告)
- 行政刷新会議事業仕分けに対する日本放射光学会の対応(経過報告)と考え方
- 25pRL-12 軟X線光電子分光で見た鉄カルコゲナイド系超伝導体の電子状態(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25aYG-9 鉄フタロシアニンベースカーボンアロイ触媒における残存金属の電子構造(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aPS-24 SPring-8 BL07LSU軟X線発光分光装置の開発(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 放射光討論会「朝まで生テレビ」 -今, 何が問題か? : 物質科学編-
- 化学・材料分野の最前線を照らす光 放射光を使った物質科学の最前線
- 鉄フタロシアニン由来カーボソアロイ触媒の炭素構造の熱処理温度依存性 : 軟X線吸収分光解析
- 23pHL-2 VO_2薄膜金属相の角度分解光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMnイオンの磁気的相互作用の研究
- 20aGD-8 充填スクッテルダイト超伝導体PrPt_4Ge_の超高分解能レーザー光電子分光による超伝導ギャップ測定(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aRL-9 充填スクッテルダイト化合物PrPt_4Ge_超伝導体の光電子分光(籠状物質,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21aYK-2 Ga_Mn_xAsの内殻吸収磁気円二色性による磁気的相互作用の研究(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- LaMn_Cr_xO_3の磁気特性
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
- 硬X線励起光電子顕微鏡
- 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域5(光物性))
- 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 21aHK-1 エピタキシャル応力下におけるSrVO_3薄膜の高分解能ARPES測定(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
- 30aRD-7 PtCo合金触媒を用いた固体高分子形燃料電池における劣化に伴うCoの電子構造変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 東京大学放射光アウトステーション計画
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 21pQF-5 終端制御SrTiO_3/La_Sr_MnO_3界面の硬X線光電子分光(21pQF Mn酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18pZA-8 エピタキシャル応力により物性を制御したLa_Sr_xMnO_3薄膜の硬X線光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関系),領域5,光物性)
- 27pWE-6 La_Sr_Mn_2O_7の放射光光電子顕微鏡(PEEM)観察(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- catalyst 燃料電池用カーボン系触媒の最新技術動向と展望
- 26aXA-8 SrVO_3のV3dバンド分散におけるキンクの自己エネルギー解析(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
- 25aRG-9 低次元化によりバンド幅制御したSrVO_3薄膜の電子状態(Ti,V酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 29pTD-10 SrVO_3薄膜の高分解能角度分解光電子分光(29pTD V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWQ-12 La_Sr_xTiO_3薄膜の軟X線光電子分光(25pWQ Co酸化物・異常ホール効果他,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pWF-6 LaAlO_3/SrTiO_3界面金属層のin situ放射光光電子分光(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27aXQ-2 硬X線を用いたLa_Sr_xMnO_3薄膜のMn 2p内殻光電子分光(光電子分光)(領域5)
- 26pPSB-14 カーボンアロイ触媒の活性点の構造とその安定性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Narrow Gap and Compound Semiconductors(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
- JSR10学生発表賞 第2分野 鉄フタロシアニン由来カーボンアロイ触媒の炭素構造の熱処理温度依存性--軟X線吸収分光解析 (放射光ニュース 第23回放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(JSR10)学生発表賞審査結果について)
- 25aPS-1 軟X線領域におけるZnTe薄膜を用いた二次高調波生成(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-3 軟X線領域におけるGaAs薄膜を用いた二次高調波生成(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-1 GaAs薄膜を用いた軟X線放射光による非線形効果の観測(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30pTL-1 アナターゼ型Ti_W_xO_2エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態(30pTL Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pWF-2 アナターゼ型NbドープTiO_2の非金属-金属転移(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- 28aUE-10 TiO_2でキャップしたVO_2薄膜の光電子分光(28aUE モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 「結晶評価技術の新展開」小特集によせて
- 26pPSB-15 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の酸素還元反応過程の解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-22 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の反応サイト探索(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光光電子分光を用いた金属/高誘電率酸化物ゲートスタック構造の深さ方向解析
- 21aTK-6 SrTiO_3/La_Sr_MnO_3とLaAlO_3/La_Sr_MnO_3ヘテロ界面のin situ角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 19aWG-10 基板応力により物性を制御したLa_Sr_MnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(19aWG Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aQE-4 La_Sr_xMnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光 : バンドの繰り込み効果(26aQE 光電子分光・逆光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5(光物性))
- 23pZQ-13 In-situ角度分解光電子分光電子によるLa_Sr_MnO_3薄膜の電子状態 : 温度依存性(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-12 In-situ角度分解光電子分光によるLa_Sr_xMnO_3薄膜のバンド構造 : 組成依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 19pYD-10 In-situ光電子分光によるSrRuO_3薄膜電子状態の膜厚依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 27pWE-9 SrTiO_3/La_Sr_MnO_3ヘテロ界面のin-situ放射光光電子分光(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- メゾスコピック磁性体の磁化反転過程と vortex カイラリティ制御
- 22aWA-12 メゾスコピック磁性体の磁化反転過程と vortex カイラリティ制御
- 31aXF-2 メゾスコピック磁性体の磁化反転過程と double-vortex 状態
- 有機金属化合物を用いた強磁性超微粒子の作製と磁気特性
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 30pVD-5 ナノダイヤモンドに埋め込まれたMnイオンの電子状態(30pVD X線・軟X線発光・新光源,領域5(光物性))
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 19pTA-9 熱拡散Mn/GaAs(001)界面の光電子分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28pPSB-3 GaAs(001)に蒸着したMnの熱拡散の光電子分光による深さ方向分析(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-3 GaMnAsのXMCD磁場・温度・濃度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pYG-3 La_Sr_xMnO_3薄膜の内殻光電子分光スペクトルに見られるマーデルングポテンシャルの効果(21pYG 放射光・光電子分光(酸化物),領域5(光物性))
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会 : 窒化物半導体結晶成長の新しい流れ
- 「窒化物半導体結晶中の欠陥」特集によせて(特集序文)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 17pB05 PLD法によるCu(111)基板上へのGaNのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- パルス励起堆積法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」(学会活動報告)
- 2008年日本結晶成長学会特別講演会「環境調和と省エネルギーを目指した材料開発のための結晶成長」(学会活動報告)
- 室温結晶成長が拓くエレクトロニクスの新しい形 : エレクトロニクスは再び化学者の時代へ
- 「Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開」小特集に寄せて(小特集序文)
- 「ナノプロセス技術が育むフレキシブルエレクトロニクスの世界」
- 金属上への窒化物半導体低温成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸(特集序文)
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回窒化物半導体結晶成長講演会「プレIWN2012講演会」(学会活動報告)
- International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(2012窒化物半導体ワークショップ)
- ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回窒化物半導体結晶成長講演会「プレIWN2012講演会」
- タイトル無し