PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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PLD法はIII族原料を高い運動エネルギーを持った状態で間欠的に供給できるため、結晶成長温度の大幅な低減が実現でき、従来手法では基板として利用できなかった化学反応性の高い材料上に良質なIII族窒化物薄膜の成長が可能となる。今回、Hf(0001)基板上へのGaN及びZnO(000-1)基板上へのAlGaNの室温成長を試み高品質な薄膜がレイヤーバイレイヤーモードで成長することを確認した。また、Cu(111)基板上にも同様な低温成長技術を用いることによりGaNのエピタキシャル成長が実現することを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
岡本 浩一郎
東大生研
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学生産技術研究所
-
井上 茂
東京大学生産技術研究所
-
岡本 浩一郎
東京大学生産技術研究所
-
金 太源
神奈川科学技術アカデミー
-
松木 伸行
神奈川科学技術アカデミー
-
井上 茂
東大生研
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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