InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2000-02-10
著者
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
間野 高明
東大院工
-
藤岡 洋
東京大学大学院工学系研究科
-
木戸 義勇
金属材料技術研究所
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
間野 高明
物質・材料研究機構
-
間野 高明
(独)物質・材料研究機構
-
小口 信行
物質・材料研究機構
-
塚本 史郎
金材技研
-
渡邉 克之
東大ナノ量子機構
-
小口 信行
金属材料技術研究所極高真空場ステーション
-
高増 正
金属材料技術研究所
-
小口 信行
金属材料技術研究所
-
渡邉 克之
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
塚本 史郎
物質・材料研究機構
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渡邉 克之
東工大院理工
-
塚本 史郎
金属材料技術研究所
-
間野 高明
金属材料技術研究所
-
渡邉 克之
金属材料技術研究所
-
今中 康貴
金属材料技術研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
藤岡 洋
東京大学大学院
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