液滴エピタキシーによるGaAsナノ構造の自己形成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-05-10

著者

• 間野 高明

  東大院工

• 間野 高明

  物質・材料研究機構

• 間野 高明

  (独)物質・材料研究機構

関連論文

• 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
• 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
• 28aTB-7 閃亜鉛鉱型CrAsの光電子分光
• 28aTB-3 MBE作製III-V族希薄磁性半導体のin situ光電子分光
• 24aYG-6 フォトニック結晶欠陥共振器に埋め込まれた量子ドットの光学応答II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 24aYG-6 フォトニック結晶欠陥共振器に埋め込まれた量子ドットの光学応答II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 液滴エピタキシーによるGaAsナノ構造の自己形成
• 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aVD-8 GaAs量子ドットにおける動的核偏極の観測(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• Cs補正HAADF-STEMによるAlGaAs中のGaAs量子リングの観察
• 液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成(量子ドットの使い方)
• 20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価
• 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
• 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
• 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
• InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
• 25pHB-9 無歪み系GaAs量子ドットの荷電励起子エネルギー(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク