半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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半導体量子ドットのカスケード遷移を用いて、もつれた光子対を発生することができる.提案は10年以上前に遡るが、量子ドットに内在する、わずかな形状異方性のために、実現は困難だった.これまで様々の超絶技巧で光学等方性を回復し、もつれあい光子対を検証する実験はあったが、いずれも拡張性に乏しい.我々は、液滴エピタキシー成長法を用いて、対称性の高いGaAs/AlGaAs量子ドットの自己形成に成功した.鍵は、成長基板面としてGaAs(111)A面を用いたことである.その結果、高いもつれあい度の光子対発生を観測できたので報告する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-10
著者
-
黒田 隆
物質・材料研究機構
-
間野 高明
物質・材料研究機構
-
迫田 和彰
物質・材料研究機構
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
中島 秀朗
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学 電子科学研究所
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