GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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概要
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GaAsNSe混晶半導体を用いて光通信帯で広い発光スペクトル幅を持つダイオードの開発を行った。GaAs(OO1)基板上にGaAsNSe/GaAs超格子を有機金属分子線エピタキシー法により成長した。GaAsNSe混晶はSeが高濃度ドーピングされることにより非発光再結合中心の寄与が減少するため,1.3〜1.6μm波長帯域で明るいPL発光が観察された。GaAsNSe/GaAs超格子に生じる歪みをGaAsN/GaAsSb超格子と組み合わせて補償することによりPL発光強度の温度依存性は大きく改善できた。 GaAsNSe/GaAs超格子を発光層として作製したダイオードから,80Kであるが電流注入により中心波長1.3μmで広い発光スペクトルを観察し,この材料は光ファイバ通信帯域をカバーできる発光ダイオード材料として有望であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-19
著者
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