金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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量子情報分野への応用に向けた量子ドットの研究において、量子ドットを含む半導体ピラー構造を金属層中に埋め込む金属埋め込み構造を新規に提案し、その作製を行い、単一光子発生に関して単一光子純度(多光子発生の抑制)・光子取り出し効率の2つの観点から評価を行った。金属埋め込み構造による非共鳴励起下での高純度な単一光子発生、光子取出し効率の向上について報告する。
- 2010-06-18
著者
-
笹倉 弘理
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北大電子研
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
中島 秀朗
北海道大学電子科学研究所
-
江国 晋吾
北海道大学電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学電子科学研究所
-
井筒 康洋
横川木型製作所
-
飯島 仁史
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
末宗 幾夫
北大:crest-jst
-
熊野 英和
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
笹倉 弘理
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
-
笹倉 弘理
北海道大学 電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学 電子科学研究所
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