31p-YL-6 ZnSe/ZnSSe超格子のテラス構造と励起子分子の観測
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-03-16
著者
-
吉田 幸司
北大電子科研
-
黒田 隆
東工大理
-
末宗 幾夫
北大電子研
-
末宗 幾夫
北大電子科研
-
井上 久遠
北大電子科研
-
鳥羽 功一
北大電子科研
-
鳥羽 功一
北大電子研
-
Mysyrowics A.
エコールポリテクニック
-
黒田 隆
北大電子科研
-
Mysyrowicz A
仏.エコールポリテクニック
関連論文
- 20pHY-8 超伝導発光ダイオード構造の直流輸送特性による発光再結合のモニタリング(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 31p-YB-12 ラテックス単層膜における光パルス伝搬の観測
- 3-5-N系長波長窒化物半導体と光通信への応用 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- 25aC-5 巨大ボウイング効果を示すGaAs_N_x混晶の電場変調分光
- 28p-ZM-9 GaNAs混晶半導体のバンドギャップボウイングに対する歪みの効果
- 29p-YM-1 二次元エアーロッド格子におけるフォトニックバンド構造II
- 5a-K-5 二次元エアロッド格子のブラッグ反射 I : 強度の波長依存性の測定
- 5a-K-3 二次元エアーロッド格子におけるフォトニックバンド構造
- 15a-DC-4 ブリュースター角度入射配置の反射スペクトルに見られる、薄膜および超格子中の励起子構造
- 27aYC-15 CdTe自己形成ドットにおける顕微時間分解発光
- 金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 25pYA-2 超伝導発光ダイオード構造の直流電気特性(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25aN-13 スラブ型半導体2次元フォトニック結晶の特性
- I-VII化学物量子微結晶の励起子-格子相互作用定数のサイズ依存性
- CuBr微結晶の共鳴ラマン散乱
- 1a-Y-11 CuBr微結晶の2光子共鳴散乱II.多重LOフォノン散乱の起源
- 27p-Z-20 半導体微結晶の二光子共鳴散乱II : CuBr系
- 27p-Z-9 半導体微結晶の二光子共鳴散乱 I : 個別閉じ込めCdS系の電子構造
- 29a-Z-14 ZnSe/ZnSSe超格子のテラス構造と励起子分子II
- 反射型ポンプ・プローブ法を用いたZnSe量子井戸における励起子の位相緩和観測
- 30p-W-18 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象III : 四光波混合法による励起子分子の生成
- 28a-YQ-12 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象II : 自由誘導減衰と四光波混合の比較
- 31p-YL-6 ZnSe/ZnSSe超格子のテラス構造と励起子分子の観測
- 30a-W-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_Brインターカレーション化合物の電子ラマン散乱
- 28a-YP-5 CuCl微結晶における励起子位相緩和機構のサイズ依存性I
- 28a-YQ-11 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象I : 新しい反射配置における四光波混合放出光の観測
- 半導体薄膜の励起子観測と試料評価のためのブリュスタ-角反射分光法
- 25aRA-8 AlGaAsエアブリッジ型2次元フォトニック結晶の光学特性
- 25aRA-8 AlGaAsエアブリッジ型2次元フォトニック結晶の光学特性
- 31p-ZG-4 GaSe中のトランジェントグレーティングの偏光依存性
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 27p-YP-3 ZnSe中のSHG光の偏光依存性
- 28p-YB-10 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象2
- 銅ハライド微結晶におけるピコ秒共鳴発光
- 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象
- 28a-YQ-9 ZnSeの2P励起子の微細構造II
- 4a-G-7 ZnSe2p励起子の微細構造
- MOMBE成長窒素ドープp型ZnSeのC-V測定による評価
- 24a-X-2 ZnSe中の共鳴ハイパーレーレー散乱
- 24pC-3 Cd_Mn_xTe自己組織化量子ドットの発光スペクトル(II)
- 31p-YG-8 半導体微粒子における蓄積フォントエコー現象
- 29p-R-4 ZnMnSeにおけるエネルギー移動過程
- 27a-G-5 ZnSe系半導体の共鳴SHG
- 24a-X-10 ZnSeの2光子吸収
- 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
- 28a-YE-6 CuCl量子点の2光子選択励起分光:量子点中に縦波励起子は存在するのだろうか?
- 27p-YP-2 ブリュスター反射下フェムト秒光パルスの時間形状
- ワイドギャップZnSe/MgS超格子の形成と評価
- Pyramidal-shaped optical microcavities and preparation of atom-like states(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]Pyramidal-shaped optical microcavities and preparation of atom-like states(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 5a-F-9 ZnSe/ZnS超格子における励起子分子の二光子吸収スペクトル
- 29a-D-6 メゾポルフィリン/PVAのデバイ・ワーラー因子とホールバーニング
- 28a-H-6 ZnSe薄膜結晶の禁制配置における前方共鳴SHGの観測と強度
- 12p-DD-9 ZnS薄膜における共鳴SHGI 禁制配置での観測と二光子吸収との相関
- 26a-ZE-13 ZnSe/ZnS歪超格子中の共鳴SHG
- 27a-G-6 II-VI化合物中の二光子共鳴散乱II
- 30p-A-5 ZnSe/Zns歪み超格子の二光子吸収
- 28a-Y-2 II-VI化合物中の二光子共鳴散乱
- 2p-X-10 ZnMnSeの励起子位相緩和
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 31p-ZG-6 層状半導体における励起子磁気副準位間の蛍光量子ビートの観測II
- 27p-YP-1 層状半導体における励起子磁気副準位間の蛍光量子ビートの観測
- 6p-G-13 ZnSe中の2P励起子のコヒーレント過渡応答
- 29pYT-1 ハイパーラマン散乱によるガラスのボゾンピークの観測とその起源
- 29pYT-1 ハイパーラマン散乱によるガラスのボゾンピークの観測とその起源
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討
- MgS/ZnSe超格子の励起子発光起源の検討
- 3a-X-5 GaAs/AlAs超格子のピコ秒共鳴発光
- 28a-YQ-8 半導体超格子中の励起子準位の均一幅
- 28p-YB-9 CuCl微結晶における励起子の位相緩和現象の観測とその特性
- 31p-YN-9 CdS量子微結晶の共鳴ハイパーラマン散乱と共鳴SHGの散乱
- 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 12a-J-4 六方晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化III : ATiO_3の強誘電性の起源
- 1a-A-3 六法晶BaTiO_3における低周波赤外活性モードのソフト化
- 30p-YK-3 h-BaTiO_3の極性フォノンの赤外測定
- 28a-YQ-10 半導体の励起子共鳴付近における反射パルスの時間形状II
- 23pRB-6 InP/InAsP/InPナノワイヤー量子ドットの局在励起子発光の偏光状態(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 量子情報通信のための単一光子・量子もつれ光子対光源
- 29p-F-7 二次元エアーロッド格子の製作と近赤外光透過特性 II : 偏光依存性