ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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従来,独立して取り扱われていた半導体量子ドットおよび不純物準位を用いた単一光子発生を単一固体内で制御する構造として,同族元素による等電子中心を利用する方法を提案し,ZnSe:Te系を用いた単一光子源の検討を行った.400℃成長試料において,埋め込みZnTe量の増加に伴いTe_2等電子中心,Te_<n>2>等電子中心,ZnTe量子ドットへの発光中心の遷移を確認し,発光過程制御の足がかりを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-17
著者
-
末宗 幾夫
北大電子研
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
末宗 幾夫
北大:crest-jst
-
遠藤 礼暁
北海道大学電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
定 昌史
日本学術振興会特別研究員
-
定 昌史
日本学術振興会:北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
-
熊野 英和
北海道大学 電子科学研究所
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