II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光インタコネクションに使用可能な微小発光素子を目指し、フォトニックドット構造をII-VI族化合物半導体を選択成長することで作製した。フォトニックドット構造は光を構造内に3次元的に閉じ込め、自然放出光の制御を可能とする。ZnSe層を発光層としたZnSe/ZnSフォトニックドット構造は顕微ルミネセンス測定より共振ピーク値での自然放出光の変調を示した。また、構造をエッチングして{034}ZnSファセット上のznse層を取り除くことでより顕著な変調特性を確認した。これにより発光層を(001)面上にのみ作製できればより顕著な自然放出光の変調効果を持つフォトニックドットの作製が期待出来る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-27
著者
-
町田 英明
トリケミカル研 先端技術探索室
-
上田 章雄
北海道大学電子科学研究所
-
Avramescu Adrian
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
下山 紀男
トリケミカル研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
下山 紀男
トリケミカル研 先端技術探索室
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
関連論文
- 25aC-5 巨大ボウイング効果を示すGaAs_N_x混晶の電場変調分光
- 金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- HF(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積
- II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
- II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
- II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
- II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
- 有機化合物を用いる次世代「有機Cat-CVD」の開発と低温成膜への応用 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- ワイドギャップ半導体量子ドットの自己形成とフォトニック・ドットの選択成長-光・電子系の量子制御に向けて-
- ワイドギャップ半導体における伝導度制御
- MOMBE成長窒素ドープp型ZnSeのC-V測定による評価
- "光材料の研究とは…?"
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製
- GaNA_s混晶半導体の成長と物性評価
- ZnSe/MgS超格子の励起子発光特性
- CdSe自己組織化量子ドットの作製
- Pyramidal-shaped optical microcavities and preparation of atom-like states(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]Pyramidal-shaped optical microcavities and preparation of atom-like states(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- ピラミッド型半導体微小光共振器
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高効率量子鍵配送に向けた半導体単一光子光源の作製(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- Nucleation in the Nanometer Scale Selective Area Growth of II-VI Semiconductors
- Low-Temperature Selective Growth of ZnSe and ZnS on (001) GaAs Patterned with Carbonaceous Mask by Metalorganic Molecular-Beam Epitaxy
- Selective Growth Conditions of ZnSe/ZnS Heterostructures on (001) GaAs with Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
- Self-Organized CdSe Quantum Dots on (100)ZnSe/GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy ( Quantum Dot Structures)
- Atomic Force Microscope Nanolithography on SiO_2/Semiconductor Surfaces ( Quantum Dot Structures)
- MOMBEによるZnSeのプリ・クラッキング・フリー成長
- 青色発光素子とワイドギャップ半導体の研究
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討
- MgS/ZnSe超格子の励起子発光起源の検討
- Nucleation and Faceting in Selectively Grown ZnS Pyramidal Dot Array for Short-Wavelength Light Emitters
- 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 量子情報通信のための単一光子・量子もつれ光子対光源
- 企業・大学の活性化と若い世代の教育制度について
- 超伝導による量子もつれ光子対源の可能性とその展望
- 半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)