HF(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積
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概要
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将来のゲート絶縁材料として期待されているHfO_2薄膜のCVD法による作成を目的として、テトラキス-ジエチルアミド-ハフニウム(Hf(N(C_2H_5)_2)_4)を合成した。本原料は、室温で液体であり、CVDプロセスに十分な高い蒸気圧を有している(7.5Torr/80℃)。保管時の安定性も良く、自然発火性はない。Hf(NEt_2)_4/O_2系を用いたLPCVD法により、Si基根上に堆積させたHfO_2薄膜はいずれも多結晶であった。膜中の残留不純物に関しては、成膜中に供給するO_2流量を増加させることにより残留C量が減少し、成膜温度を高くすることにより残留N量が減少した。埋め込み特性は、成膜温度の上昇に伴い改善され、今回の堆積条件下では、基板温度450℃において良好な埋め込み形状が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-01
著者
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