超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化
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概要
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これまでN濃度により決まると考えられてきたGaAsNの低いキャリア移動度と寿命を化学ビームエピタキシー法により改善した.その材料特性を下にGaAsN太陽電池を作製し,変換効率6.5%を得た. Suns-Voc法を用いて,直列抵抗を無視した場合の変換効率が13.7%と見積もられることから,直列抵抗が支配的に変換効率を制限していることが示唆された.高い直列抵抗の原因は,主に表面電極形状によると考えられる.また,外部量子効率が長波長側で低下していることから, pin構造を用いることにより,更なる変換効率の向上が期待される.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
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