InGaP/GaAsタンデム構造太陽電池
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概要
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GaAs太陽電池の上にInGaP(Eg=1.88eV)太陽電池を積層したInGaP/GaAsタンデム構造太陽電池で変換効率30.3%を実現した。第1に、MOCVD法によって高効率のInGaPセルの作製に成功した。第2に、従来のGaAsトンネル接合に代えて、A1InPダブルヘテロ構造InGaPトンネル接合を用いることで、トンネル接合からのZnの拡散を抑制し、トップセルで高い特性を維持した。1MeV電子線照射試験から、タンデムセルの優れた耐放射特性を確認した。さらに、タンデムセルを赤外光吸収の少ない半絶縁性基板上に作製し、その下にInGaAs(Eg=0.75eV)太陽電池を配置した3接合タンデムセルによって変換効率33.3%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-21
著者
-
山口 真史
豊田工業大学大学院工学研究科極限材料専攻
-
山口 真史
豊田工業大学
-
池田 英治
(株)ジャパンエナジー中央研究所
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山口 真史
豊田工業大学半導体研究室
-
高本 達也
(株)ジャパンエナジー材料・部品研究所
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安居院 高明
(株)ジャパンエナジー材料・部品研究所
-
栗田 博
(株)ジャパンエナジー材料・部品研究所
-
栗田 博
(株)ジャパンエナジー中央研究所
-
高本 達也
シャープ
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