03aC14 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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Stresses in the growing crystal have been measured by experiment of Raman scattering, and calculated theoretically by using molecular dynamics. Peaks in Raman scattering shift to the larger wave numbers as increase the pressure in the system. When we modify the pressure in the simulation system, the results have agreement with the experimental results.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
山口 真史
豊田工業大学大学院工学研究科極限材料専攻
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
松尾 整
九州大学応用力学研究所
-
河村 貴宏
九州大学応用力学研究所
-
新船 幸二
豊田工業大学
-
大下 祥雄
豊田工業大学
-
山口 真史
豊田工業大学
-
山口 真史
豊田工業大学大学院工学研究科
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:科学技術振興機構さきがけ
-
大下 祥雄
豊田工業大学大学院工学研究科
-
大下 祥雄
豊田工業大学 大学院工学研究科
-
山口 真史
豊田工業大学 大学院工学研究科
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