II-VI族化合物半導体フォトニックドットアレイの作製及び共振器特性の光学評価
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概要
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光インタコネクションに使用可能な微小発光素子を目指し、フォトニックドット構造をII-VI族化合物半導体を選択成長することで作製した。フォトニックドット構造は光を構造内に3次元的に閉じ込め、自然放出光の制御を可能とする。ZnSe層を発光層としたZnSe/ZnSフォトニックドット構造は顕微ルミネセンス測定より共振ピーク値での自然放出光の変調を示した。また、構造をエッチングして{034}ZnSファセット上のznse層を取り除くことでより顕著な変調特性を確認した。これにより発光層を(001)面上にのみ作製できればより顕著な自然放出光の変調効果を持つフォトニックドットの作製が期待出来る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-27
著者
-
町田 英明
トリケミカル研 先端技術探索室
-
上田 章雄
北海道大学電子科学研究所
-
Avramescu Adrian
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
下山 紀男
トリケミカル研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
末宗 幾夫
北大 電子科研
-
下山 紀男
トリケミカル研 先端技術探索室
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
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