SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製
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概要
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ナノ構造半導体の選択成長マスクをSEMとAFMを複合させて作製する新しい方法を提案する。電子ビームで形成したカーボン膜をマスクとして用い, 〜50-〜100nm程度の解像度を持つパターンを形成する。この膜にATMによる表面計測を用いて位置合わせし, 〜10nm-〜50nmのパターンを上書きする事により, ナノメートルレベルの高解像度と広い領域へのパターニングを両立させることができる。ZnSe, ZnSの例では300℃〜400℃の低温で選択成長が可能となっている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-21
著者
-
植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
-
上田 章雄
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
-
アブラメスク アドリアン
北海道大学電子科学研究所
-
末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
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