植杉 克弘 | 北海道大学電子科学研究所
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概要
関連著者
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植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
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植杉 克弘
北大 電子科研
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
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末宗 幾夫
北海道大学 電子科学研究所
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吉村 雅満
広島大学工学部
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滝口 隆晴
広島大学工学部
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植杉 克弘
広大工
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吉村 雅満
広大工
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八百 隆文
広大工
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川口 洋平
日立製作所・中央研究所
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川口 洋平
(株)日立製作所中央研究所
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末宗 幾夫
北大電子研
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八百 隆文
東北大金研
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松田 端史
室蘭工業大学
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栗城 眞也
北海道大学電子科学研究所
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佐藤 智重
日本電子
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末吉 孝
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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徳本 洋志
北海道大学電子科学研究所附属ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 智重
日本電子(株)
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川口 洋平
北大電子研
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栗城 眞也
東京電機大学先端工学研究所
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松田 瑞史
室蘭工業大学工学部
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栗城 眞也
北海道大学
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末吉 孝
JEOL
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川口 洋平
北海道大学電子科学研究所
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三上 春樹
室蘭工業大学工学部
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徳本 洋志
北海道大学電子科学研究所
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川口 洋平
日立製作所中央研究所
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芥川 智行
北大電子研
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中村 貴義
北大電子研
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鈴木 秀行
原町赤十字病院 内科
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石崎 徹
北大院地球環境
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長谷川 達生
北大院地球環境
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芥川 智行
北大院地球環境
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中村 貴義
北大院地球環境
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植杉 克弘
北大電子研
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長谷川 達生
北海道大学電子科学研究所
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松田 瑞史
室蘭工業大学
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小村 琢治
広島大学工学部
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植杉 克弘
広島大工
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吉村 雅満
広島大工
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八百 隆文
広島大工
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滝口 隆晴
広大工
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植杉 克弘
広島大学工学部
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八百 隆文
広島大学工学部
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小村 琢治
Jrcat-nair
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上田 章雄
北海道大学電子科学研究所
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熊野 英和
北海道大学電子科学研究所
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末宗 幾夫
北大:crest-jst
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高岡 克也
広大工
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長谷川 達生
北大電子研
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熊野 英和
北海道大学電子科学研究所:jst Crest
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アブラメスク アドリアン
北海道大学電子科学研究所
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梨木 裕之
北海道大学電子科学研究所
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鈴木 秀樹
北海道大学電子科学研究所
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有田 宗貴
北海道大学電子科学研究所
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Avramescu A.
北海道大学電子科学研究所
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末宗 幾夫
電子科学研究所
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大日向 利朗
北海道大学電子科学研究所工学研究科
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熊野 英和
北海道大学 電子科学研究所
著作論文
- 25aC-5 巨大ボウイング効果を示すGaAs_N_x混晶の電場変調分光
- GaNAs系混晶半導体の結晶成長とその物価評価
- STMによるSi(111)へのAlCl^3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作
- 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- アルゴンイオンスパッタSi(001)固相エピタキシ過程のSTMによるその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- STMによるSi表面へのAlCl_3吸着過程の観察と反応表面での原子・分子操作
- 15a-DJ-12 STMによるAlCl_3吸着Si(111)表面の観察
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 27pC3 アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
- STMによるシリコン表面の構造評価 (電子材料高度評価技術)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 高温超伝導薄膜細線への磁束侵入とSQUIDのノイズ特性
- 高温超伝導薄膜銅線への磁束侵入とSOUIDのノイズ特性(エレクトロニクス)
- SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製
- GaNA_s混晶半導体の成長と物性評価
- ZnSe/MgS超格子の励起子発光特性
- CdSe自己組織化量子ドットの作製
- ワイドギャップZnSe/MgS超格子の形成と評価