佐藤 智重 | 日本電子(株)
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概要
関連著者
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佐藤 智重
日本電子
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佐藤 智重
日本電子(株)
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岩槻 正志
日本電子
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栃原 浩
九大総理工
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末吉 孝
JEOL
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岩槻 正志
日本電子株式会社
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栃原 浩
北大触媒研
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末吉 孝
日本電子
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島田 亙
産総研
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島田 亙
富山大学大学院理工学研究部理学領域
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島田 亙
九大総理工
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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吉村 雅満
広大工
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八百 隆文
広大工
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天草 貴昭
日本電子(株)
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栃原 浩
北大触媒セ
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植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
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植杉 克弘
広大工
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池田 淳子
九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻
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岩槻 正志
日本電子(株)
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植杉 克弘
北大 電子科研
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池田 淳子
九大総理工
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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吉信 淳
東大物性研
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多賀 康訓
豊田中研
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向井 孝三
東大物性研
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河合 伸
九大理
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一宮 彪彦
名大工
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水野 清義
北大触媒セ
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栃原 浩
物性研
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山下 良之
東大物性研
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電総研
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九大理
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三木 一司
電子技術総合研究所
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東工大 理
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徳本 洋志
電総研
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物性研
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石山 謙吾
豊田中研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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野村 晴彦
名大工
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堀尾 吉巳
名大工
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末松 孝
日本電子(株)
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東京大学大学院工学系研究科
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森田 行則
電総研
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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高岡 克也
広大工
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鈴木 孝将
東工大 理
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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天草 貴昭
日本電子
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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浜口 香苗
東大物性研
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中村 美道
九大理
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天草 貴昭
JEOL
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栃原 浩
九州大学工学部
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佐藤 智重
日本電子株式会社
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箕田 弘樹
東工大 理
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谷城 康眞
日本電子
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金子 圭一
東工理大
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谷城 康眞
東工理大
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蓑田 弘喜
東工理大
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八木 克道
東工理大
著作論文
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 29p-PSB-10 Si(100)上のTi薄膜の初期成長形態
- 25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
- 15a-DH-12 シリコン上へのAlの整合吸着相のSTM観察
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- SPMで観察する極微の世界
- 28aXE-10 Si(100)(2×1)における1, 4-シクロヘキサジエン吸着状態の被覆量依存性
- 28p-PSB-22 Si(5 5 12)面のSTM観察
- 28p-WB-4 Si(111)-In 吸着・脱離過程の高温STM観察
- STMで用いる試料温度の測定
- STMで用いる直接通電加熱