23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
-
栃原 浩
九大総理工
-
栃原 浩
北大触媒研
-
栃原 浩
物性研
-
佐藤 智重
日本電子
-
岩槻 正志
日本電子
-
島田 亙
産総研
-
島田 亙
富山大学大学院理工学研究部理学領域
-
池田 淳子
九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻
-
佐藤 智重
日本電子(株)
-
島田 亙
九大総理工
-
池田 淳子
九大総理工
-
岩槻 正志
日本電子株式会社
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