Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察

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概要

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• Small Si islands and atomic steps on Si (111) $7\times 7$ have been observed by scanning tunneling microscopy (STM). At edges of both structures, we observed characteristic elliptic double protrusions in STM images. We have proposed atomic structure models of the islands and steps. Partial collapse of the islands observed during STM observation is well explained by the proposed model. It is concluded that the double protrusions are caused by the distortion of the $3\times 3$ half unit cell (HUC) of the dimeradatom-stacking fault structure, which connects to only one neighboring $3\times 3$ HUC.

• 九州大学の論文
• 2001-03-30

著者

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 栃原 浩

  九大総理工

• 水野 清義

  九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  物性研

• 島田 亙

  産総研

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部理学領域

• 池田 淳子

  九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻

• 島田 亙

  日本学術振興会

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