23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 安藤 康伸

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 藤原 弘康

  東大院理

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 栃原 浩

  九大総理工

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 赤木 和人

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大

• 栃原 浩

  九大

• 栃原 浩

  九州大学工学部

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