25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 常行 真司

  東大院理

• 合田 義弘

  東大院理

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 合田 義弘

  東大理

• 常行 真司

  東大理

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